氮化鋁基板是高功率電子與先進半導體應用的首選陶瓷基板材料。其最大優勢在於兼具極高導熱係數與優異電氣絕緣性，在同類陶瓷材料中性能表現突出，特別適合需要快速散熱的高密度功率模組與 LED 封裝應用。

主要特性：

• 高導熱係數（170~ W/m·K），遠優於氧化鋁

• 優異電氣絕緣性（高介電強度）

• 熱膨脹係數（CTE）與矽（Si）及砷化鎵（GaAs）接近，減少熱應力

• 低介電常數與低介電損耗